ALC-635-1000-HHL

输出功率: 5mW

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 845 to 855 nm输出功率: 0.005 to 0.007 W

Blue Sky Research的VPSL-0850-005-X-5-A/B是波长为845至855 nm、输出功率为0.00 5至0.007 W、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为15至30 mA、阈值电流为5至20 mA的激光二极管。有关VPSL-0850-005-X-5-A/B的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1320 nm输出功率: 4.5 W

ALC-13XX-04500-CB100是由Akela Laser Corporation生产的激光二极管，其波长为1320nm，输出功率为4.5W，工作电压为1.5V，工作电流为9~10A，阈值电流为700mA.有关ALC-13xx-04500-CB100的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 808 nm输出功率: 40 W

Apollo公司的CS01/CS04-40-808是波长为808nm，输出功率为40W，工作电压为2V，工作电流为48A，阈值电流为10000mA的激光二极管。有关CS01/CS04-40-808的更多详细信息，请参阅下文。