KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
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QPGAx2S03H 脉冲激光二极管
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
型号: QPGAx2S03H Pulsed Laser Diodes
QPGAx2S03H 脉冲激光二极管概述
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
QPGAx2S03H 脉冲激光二极管参数
- 激光波长 / Wavelength: : 0.905um
- 脉宽 / Pulse Duration: : 1 - 1 ns
- 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : Not Applicable
QPGAx2S03H 脉冲激光二极管规格书
QPGAx2S03H 脉冲激光二极管厂家介绍
Excelitas Technologies是提供高性能、市场驱动的光子创新的技术做的较好的，以满足全球客户的照明、光电、检测和光学技术需求。
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图片名称分类制造商参数描述
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