RoboSense称其汽车激光雷达销售加速
DFB-1666-005
更新时间:2023-12-06 17:10:30
概述
来自Sacher Lasertechnik的DFB-1666-005是波长为1666 nm、输出功率为0.005 W、工作电流为65至120 mA、阈值电流为15至45 mA、输出功率(连续波)为0.005 W的激光二极管。有关DFB-1666-005的更多详细信息,
参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback Laser (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1666 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.005 W
- 工作电流 / Operating Current : 65 to 120 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 15 to 45 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- IQ1C1350 Diode Laser半导体激光器Photonic Solutions Ltd.
输出功率: 1150mW
对于那些需要先进温度稳定性的应用,仪器质量(IQ)系列具有精密电流源和比例积分微分(PID)环路来控制热电冷却器输出。这种卓越的温度控制使我们的IQ单元成为较苛刻应用的理想选择,包括共焦显微镜、干涉测量、拉曼光谱和流式细胞术。IQ系列模块可为9mm或5.6mm激光二极管提供高达1000mA的驱动电流,并可在恒流或自动功率控制模式下工作。每一个都允许对温度和驱动电流参数进行DVM兼容监控。IQ1C可通过微透镜二极管实现椭圆光束或圆形光束。我们的IQ2C也是可用的,它集成了变形校正棱镜以产生圆形光束。IQ1A可提供高达30MHz的模拟波束调制。我们的IQ2A也是可用的,它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。IQ1H可提供高达150MHz的数字调制。我们的IQ2H也是可用的,它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。PID温度控制回路和精密电流源连续波(CW)和数字或模拟调制选项圆形或椭圆形光束超稳定波长和输出功率
- IQ1C95 Diode Laser半导体激光器Photonic Solutions Ltd.
输出功率: 135mW
对于那些需要先进温度稳定性的应用,仪器质量(IQ)系列具有精密电流源和比例积分微分(PID)环路来控制热电冷却器输出。这种卓越的温度控制使我们的IQ单元成为较苛刻应用的理想选择,包括共焦显微镜、干涉测量、拉曼光谱和流式细胞术。IQ系列模块可为9mm或5.6mm激光二极管提供高达1000mA的驱动电流,并可在恒流或自动功率控制模式下工作。每一个都允许对温度和驱动电流参数进行DVM兼容监控。IQ1C可通过微透镜二极管实现椭圆光束或圆形光束。我们的IQ2C也是可用的,它集成了变形校正棱镜以产生圆形光束。IQ1A可提供高达30MHz的模拟波束调制。我们的IQ2A也是可用的,它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。IQ1H可提供高达150MHz的数字调制。我们的IQ2H也是可用的,它结合了变形校正棱镜来产生圆形光束。PID温度控制回路和精密电流源连续波(CW)和数字或模拟调制选项圆形或椭圆形光束超稳定波长和输出功率
- LASER DIODE FIDL-250M-860X-E50半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 250mW
FIDL-250M-860X-E50是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-860X-E50是一款CW多模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- LASER DIODE FNLD-05S-1650半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FNLD-05S-1650是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1650nm激光二极管,采用MOCVD技术制备。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-05S-1650是连续单模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。
- IND02D100D102半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 5.5 mW波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02D100D102是波长为1284.5nm、1291nm、1297.5nm、输出功率为5.5mW、工作电压为1.6V、阈值电流为5至19mA的激光二极管。有关IND02D100D102的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗(FP)激光器到 DFB 和 DBR 激光器,这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。