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IND02D100D102概述
用于未冷却的28 Gb/s NRZ通信的DFB激光二极管芯片，遵守RoHS标准，适用于非密封封装，具有优异的可靠性。
IND02D100D102参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 输出功率 / Output Power : 5.5 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 19 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
- 阈值电流 / Treshold Current : 11-17mA@85°C, 5mA@25°C
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A@85°C
- 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : 4@0°C/85°C
- 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA@85°C
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V@Po=5mW
- 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C
- 电容 / Capacitance : 1.2pF
- 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : 7-60
- 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : 35dB@Po=5mW
- 波长 / Wavelength : 见下表
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
- 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35degree
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2@Po=5mW
- 带宽 / Bandwidth : 18-21GHz@I=60mA, 85°C
- 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : 15.5-17.5GHz@I=60mA, 85°C
IND02D100D102应用
1.光纤通信链路
2.千兆以太网和存储区域网络
3.5G无线前传数据链路
IND02D100D102特征
1.设计用于未冷却的28 Gb/s NRZ
2.RoHS兼容
3.工作温度范围-20°C到95°C
4.可用波长
5.根据GR-468标准认证，适用于非密封包装
6.优异的可靠性
7.顶部阳极和背面阴极配置
IND02D100D102规格书
IND02D100D102厂家介绍
II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的，是一家垂直整合的制造公司，为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件，并以各种形式部署它们，包括与先进的软件集成，以支持我们的客户。
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图片名称分类制造商参数描述
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