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下载规格书 半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
全部产品分类
LD-1120-TO-250概述
来自Innolume的LD-1120-to-250是一款激光二极管，波长为1113 nm，输出功率为0.25 W，工作电流为0.35至0.5 A，阈值电流为80至150 mA，输出功率（连续波）为0.25 W.有关LD-1120-to-250的更多详细信息，
LD-1120-TO-250参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1113 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.25 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.35 to 0.5 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 80 to 150 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InAs/GaAs
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
LD-1120-TO-250图片集
LD-1120-TO-250规格书
LD-1120-TO-250厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- Seminex Single-Mode Laser Chip 1625nm 0.3W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 300mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- CVN 63半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 905 nm输出功率: 60 to 75 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CVN 63是波长为905 nm、输出功率为60至75 W、阈值电流为800 mA、输出功率（CW）为60至75 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。
- TO9-183-161半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1605 nm(+/-20)输出功率: 1.7 w
来自Seminex公司的TO9-183-161是一种激光二极管，其波长为1605 nm（+/-20），输出功率为1.7 W，工作电压为1.6 V，工作电流为1.6 A.
- LDX-3110-1850半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 1850 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3110-1850是波长为1850nm、输出功率为800mW（光纤）至1000mW、输出功率为800mW（光纤）至1000mW、工作电压为1.3V、工作电流为5200mA的激光二极管。有关LDX-3110-1850的更多详细信息，请参阅下文。
- ARR115P4000半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 200 W
Northrop Grumman公司的ARR115P4000是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为200 W，工作电压为40 V，工作电流为175 A，阈值电流为15000 mA.有关ARR115P4000的更多详细信息，请参阅下文。
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