激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
TO9-183-161概述
来自Seminex公司的TO9-183-161是一种激光二极管,其波长为1605 nm(+/-20),输出功率为1.7 W,工作电压为1.6 V,工作电流为1.6 A.
TO9-183-161参数
TO9-183-161规格书
TO9-183-161厂家介绍
相关内容
相关产品
输出功率: 90mW
Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红色激光二极管,可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模和9 mm封装。HL6367DG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL6367DG非常适合要求可靠工作、使用寿命长、输出功率稳定的工业和传感应用。
输出功率: 3200mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
波长: 976nm输出功率: 65000mW
直接二极管65W规格
波长: 792 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3210-792是波长为792nm、输出功率为2000mW(光纤)至2500mW、输出功率为2000mW(光纤)至2500mW、工作电压为1.8V、工作电流为2900mA的激光二极管。有关LDX-3210-792的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 1940 nm输出功率: 0.015 W
Thorlabs Inc的FPL1940是一款激光二极管,波长为1940 nm,输出功率为0.015 W,工作电压为0.35至3.5 V,工作电流为0.4至0.5 A,输出功率(CW)0.015 W.有关FPL1940的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
激光气体分析仪可进行高灵敏度和高选择性的气体检测。这种检测方法的多组分能力和宽动态范围有助于分析浓度范围较宽的混合气体。由于这种方法无需进行样品制备或预浓缩,因此易于在实验室或工业中采用。
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。