单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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23XX纳米高功率二极管
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: 23XX nm high power diode23XX nm high-power CW laser diode
23XX纳米高功率二极管概述
Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管，波长为2290nm，输出功率为0.5W，工作电压为1.5V，工作电流为5A，阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。
23XX纳米高功率二极管参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot Laser (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 2290 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.5 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.5 V
- 工作电流 / Operating Current : 5 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 300 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
23XX纳米高功率二极管图片集
23XX纳米高功率二极管规格书
23XX纳米高功率二极管厂家介绍
我们公司的使命是成为领先的红外光电材料和器件提供商。我们在III-V材料外延和器件技术方面的领先专业知识使我们能够提供从近红外到中红外的广泛发光体，涵盖GaAs、InP和GaSb材料平台。我们的技术由不断创新和注重细节推动，使我们能够为从超宽可调光谱到隐蔽防御应用的较苛刻应用提供定制产品解决方案。
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图片名称分类制造商参数描述
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货号：V00133；裸片尺寸：1.99mm X 1.99mm 1672孔径；推荐的较大峰值功率CW，100%DC：6W；推荐较大峰值功率100μs，1%DC：20W；推荐较大峰值功率5ns，0.1%DC：78W
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Toptica Eagleyard的EYP-DFB-1030-00500-1500-BFY02-0010是一款激光二极管，波长为1030 nm，输出功率为0.05至1 W，工作电压为0.8 V，阈值电流为70 mA，输出功率（CW）为0.05至1 W.EYP-DFB-1030-00500-1500-BFY02-0010的更多详情见下文。
- BrightLock 4508-0000半导体激光器QPC Lasers
波长: 808 nm输出功率: 2.5 mW
来自QPC Lasers的Brightlock 4508-0000是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为2.5 MW，工作电压为2.2 V，工作电流为3.5 A.Brightlock 4508-0000的更多详细信息可在下面查看。
- 131F-02I-LT5KB半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131F-02I-LT5KB是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131F-02I-LT5KB的更多详细信息，请参见下文。
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