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850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率 半导体激光器

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率

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美国
厂家:Vixar Inc.

更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率概述

V00133是一款基于镓砷(GaAs)技术的垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有850纳米的激光波长和10瓦的光功率输出。

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率参数

  • 波长 / Wavelength : 850 nm
  • 光功率 / Optical Power : 10 W
  • 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C to 110°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40°C to 110°C
  • 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : max. 10 A
  • 正向电流(直流操作) / Forward Current (DC Operation) : max. 20 A
  • 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
  • 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 2 kV
  • 正向电压 / Forward Voltage : typ. 2.1 V
  • 输出功率 / Output Power : typ. 10 W
  • 阈值电流 / Threshold Current : typ. 2.7 A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 1.0 W/A
  • 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : typ. 40%
  • 峰值波长 / Peak Wavelength : 840 nm to 860 nm
  • 光谱带宽FWHM / Spectral Bandwidth At FWHM : typ. 2 nm
  • 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.06 nm/K
  • 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 18°

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率应用

1.根据IEC 60825-1安全预防措施,该设备在不同操作模式下可发出高度集中的可见光和非可见光,可能对人眼造成危害。2.产品集成这种设备时,必须遵循IEC 60825-1中给出的安全预防措施。

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率特征

1.芯片技术:GaAs VCSEL。2.激光波长:850纳米。3.光功率等级:10瓦。4.辐射特性:多模。5.静电放电(ESD):2千伏,符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)。

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图片集

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图1
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图2
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图3
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图4
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图5
850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率图6

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率规格书

850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率厂家介绍

Vixar是欧司朗(AMS Osram)的子公司,凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队,他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案,以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链,提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力,并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。

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