CHP-123

波长: 808nm输出功率: 110mW

808nm半导体激光器（GaAlAs）广泛用于泵浦掺Nd增益介质。较近，这些二极管激光器被应用于牙科手术、疼痛治疗、塑料焊接和各种其他应用。808 nm激光源提供SLM和纵向多模选项，TEM00操作。

输出功率: 50mW

FNLD-50S-1022C是用MOCVD半导体激光器制备的1022nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1022C是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

波长: 808 nm输出功率: 3.5 W

Compound Photonics公司的XM6-808C-10-353是一种波长为808nm、输出功率为3.5W、工作电压为1.7~1.8V、工作电流为4.1A、阈值电流为700mA的激光二极管。有关XM6-808C-10-353的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 976 nm输出功率: 0.2 W

Innolume的LD-9xx-FBG-200是一款激光二极管，波长976 nm，输出功率0.2 W，工作电流0.4至0.5 A，阈值电流70至100 mA，输出功率（连续波）0.2 W.有关LD-9xx-FBG-200的更多详细信息，请参见下文。

波长: 630 to 640 nm输出功率: 5 mW

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。