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QL63D4S-A/B/C 半导体激光器

QL63D4S-A/B/C

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL63D4S-A/B/C635 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

QL63D4S-A/B/C概述

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置用于监控激光二极管的光电二极管。

QL63D4S-A/B/C参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 630 to 640 nm
  • 输出功率 / Output Power : 5 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.7 V
  • 工作电流 / Operating Current : 32 to 45 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 24 to 35 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL63D4S-A/B/C图片集

QL63D4S-A/B/C图1
QL63D4S-A/B/C图2
QL63D4S-A/B/C图3
QL63D4S-A/B/C图4
QL63D4S-A/B/C图5
QL63D4S-A/B/C图6

QL63D4S-A/B/C规格书

QL63D4S-A/B/C厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片名称分类制造商参数描述
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