单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
来自OSI Laser Diode,Inc.的CVLL 180是波长为1550nm、输出功率为76W、阈值电流为1500mA、输出功率(CW)为76W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 7mW
FARL-7S-650-至56-85°-NG激光二极管650nm 7mW。
输出功率: 10mW
FIDL-10S-895X是895nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。25°C下的预期寿命超过50000小时。FIDL-10S-895X是CW单模注入半导体激光二极管与内置监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
输出功率: 5mW
LRD系列激光器的直径为54mm,长度为342mm。通过独特的设计,几个激光二极管在同一条线上相互作用,您可以获得输出功率高达75mW的激光导光。这种设计使得在必要时升级输出功率成为可能
波长: 834.7 nm输出功率: 0 to 0.1 W
Qphotonics公司的QLD-830-100S是波长为834.7nm的激光二极管,输出功率为0~0.1W,工作电压为1.9V,工作电流为0.12~0.132A,阈值电流为20mA.有关QLD-830-100S的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 1291 nm波长: 参见下表
来自II-VI Incorporated的IND02C100D102是波长为1291 nm、工作电压为1.6 V、工作电流为60至80 mA、阈值电流为5至17 mA的激光二极管。有关IND02C100D102的更多详细信息,请参阅下文。
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