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下载规格书 将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
全部产品分类
IND02C100D102概述
用于未冷却的28 Gb/s NRZ光纤光通信链路，Gigabit Ethernet以及存储区域网络和5G无线前传数据链路。
IND02C100D102参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1291 nm
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
- 阈值电流 / Treshold Current : 85°C 11-17mA, 25°C 5mA
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 85°C 0.1-0.2W/A
- 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C 4
- 饱和电流 / Saturation Current : 85°C 80-100mA
- 工作电压 / Operating Voltage : P=5mW 1.6V
- 差分电阻 / Differential Resistance : P=5mW, 85°C 7-10Ohm
- 电容 / Capacitance : 1.2pF
- 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb 7-60
- 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : P=5mW 35dB
- 波长 / Wavelength : 参见下表
- 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
- 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : ΘH FWHM 30degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : ΘV FWHM 35degree
- 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : P=5mW -132dB/Hz1/2
- 带宽 / Bandwidth : I=60mA, 85°C 18-21GHz
- 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : I=60mA, 85°C 15.5-17.5GHz
IND02C100D102应用
1.光纤光通信链路 2.Gigabit Ethernet和存储区域网络 3.5G无线前传数据链路
IND02C100D102特征
1.设计用于未冷却的28 Gb/s NRZ 2.符合RoHS标准 3.工作温度范围-20°C至95°C 4.根据GR-468标准认证，适用于非密封封装 5.卓越的可靠性 6.顶部阳极和背面阴极配置
IND02C100D102规格书
IND02C100D102厂家介绍
II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的，是一家垂直整合的制造公司，为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件，并以各种形式部署它们，包括与先进的软件集成，以支持我们的客户。
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图片名称分类制造商参数描述
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