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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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MAOD-131F25IL1T0概述
Macom的MAOD-131F25IL1T0是一款直接调制的边缘发射法布里-珀罗激光器（EEL），工作波长为1310 nm.这款高速激光器的数据速率为25 Gbps，工作温度范围为-40至95摄氏度。符合RoHS标准的激光器采用TO-CAN封装，非常适合支持客户的5G LTE FrontHaul短距离应用以及数据中心的低成本100 Gpbs并行单模光纤（PSM4）应用。
MAOD-131F25IL1T0参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot (FP)
- 波长 / Wavelength : 1310 nm
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
MAOD-131F25IL1T0规格书
MAOD-131F25IL1T0厂家介绍
Macom为数据中心、电信、工业和国防应用设计和制造半导体产品。Macom总部位于马萨诸塞州洛厄尔，在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。Macom通过了ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。Macom拥有超过65年的应用专业知识，在北美、欧洲和亚洲拥有多个设计中心、硅、砷化镓和磷化铟制造、制造、组装和测试以及运营设施。点击此处查看我们的设施。此外，Macom还提供代表我们业务中关键核心竞争力的铸造服务。
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图片名称分类制造商参数描述
- CW-RT-DFB-QC 803.5-808.3nm半导体激光器Alpes Lasers
输出功率: 10mW
在连续波中测量激光器。它们通常安装在结上，这意味着在焊盘上偏置为负，在底座上偏置为正。使用电源ILX LightWave LDX-3232或同等产品。
- LASER DIODE FIDL-1000M-915X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- NDVA316T半导体激光器Nichia Corporation
波长: 414 to 420 nm输出功率: 0.05 W
NDVA316T是一种波长为414~420nm的激光二极管，输出功率为0.05W，工作电压为4.6V，工作电流为0.07A，阈值电流为85mA.有关NDVA316T的更多详细信息，请参阅下文。
- T98H-P3-X14W半导体激光器Lasermate Group
波长: 970 to 990 nm输出功率: 14 mW
Lasermate Group的T98H-P3-X14W是一款激光二极管，波长为970至990 nm，输出功率为14 MW，工作电压为35 V，工作电流为1200 mA.有关T98H-P3-X14W的更多详细信息，请参阅下文。
- QL85G63E半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 845 to 855 nm输出功率: 15 mW
Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，请参阅下文。
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