全部产品分类
光电查

QL85G63E

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书

更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL85G63EMOCVD grown 850 nm band GaAs laser diode with quantum well structure

QL85G63E概述

Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.4 V,工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息,

QL85G63E参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 845 to 855 nm
  • 输出功率 / Output Power : 15 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.4 V
  • 工作电流 / Operating Current : 45 to 55 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 40 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : GaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL85G63E规格书

QL85G63E厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    2327nm Mid-IR DFB Lasers半导体激光器Norcada Lasers

    NORCADA专注于近红外和中红外光谱区的单模分布反馈(DFB)半导体二极管激光器,用于气体传感和可调二极管激光吸收光谱(TDLAS)应用。我们的半导体中红外DFB激光器是使用MBE生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构制造的,该材料系统理想地适用于1900-3600nm的波长范围。中红外DFB激光器为工业安全监控应用感兴趣的许多气体种类提供显著更高的传感灵敏度。我们根据客户的应用,为我们的激光产品提供标准TO式封装和光纤耦合封装。对于TO封装,我们有两种标准格式:TO39(TO5)和TO66。所有标准封装都在封装内配备微型热电冷却器(TEC),以保持激光温度的稳定性。TO39和TO66封装都带有倾斜的密封光学窗口(7度倾斜),以较大限度地减少背向反射。蝶式封装在单模光纤中为客户提供光纤耦合激光输出,该单模光纤通过FC/APC类型的连接器端接。

  • 光电查
    Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-350-1244nm半导体激光器Innolume GmbH

    输出功率: 350mW

    •350/500/550mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1170-1280nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范

  • 光电查
    FARL-15S-635-TO56 LASER DIODE 635nm 15mW半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 15mW

    FARL-15S-635-TO56激光二极管635nm 15mW。

  • 光电查
    Laser Diode Module CLD – MW 638nm半导体激光器TOPAG Lasertechnik GmbH

    输出功率: 50mW

    CLD–MW是一款用户控制的激光器,在单个紧凑封装中集成了激光器和控制电子设备。内置触摸屏显示器控制并显示完整的激光操作参数。CLD–MW允许用户设置激光功率和温度,扫描激光功率,并使用高达1 MHz的内置内部函数发生器调制激光。外部调制较高可达20 MHz。CLD–MW具有出色的光束质量、功率稳定性、激光温度控制和低噪声,适用于要求苛刻的应用。

  • 光电查
    LD785-SEV300半导体激光器Thorlabs Inc

    波长: 785 nm输出功率: 0.3 W

    Thorlabs Inc的LD785-SEV300是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.3 W,工作电流为0至0.5 A,输出功率(CW)为0.3 W.有关LD785-SEV300的更多详细信息,请参见下文。

相关文章