QLD-700-50S

输出功率: 1000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱学。

输出功率: 450mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 1513 nm输出功率: 0 to 0.005 W

QPhotonics公司的QDFBSS-1510-5是波长为1513nm的激光二极管，输出功率为0~0.005W，工作电压为1.36V，工作电流为0.043~0.043A，阈值电流为15mA.有关QDFBSS-1510-5的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1550 nm输出功率: 50 W

来自OSI Laser Diode，Inc.的CVLL 2S95是波长为1550nm、输出功率为50W、阈值电流为1000mA、输出功率（CW）为50W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。CVLL 2S95的更多细节可以在下面看到。

波长: 808 nm输出功率: 200 W

Northrop Grumman公司的ARR01P1800是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为200 W，工作电压为18 V，工作电流为175 A，阈值电流为15000 mA.有关ARR01P1800的更多详细信息，请参阅下文。