半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
CVLL 2S95
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
来自OSI Laser Diode,Inc.的CVLL 2S95是波长为1550nm、输出功率为50W、阈值电流为1000mA、输出功率(CW)为50W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。CVLL 2S95的更多细节可以在下面看到。
参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1550 nm
- 输出功率 / Output Power : 50 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 1000 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
规格书
厂家介绍
相关产品
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode 1525nm 1.3W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1300mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- QFLD-1030-100S半导体激光器QPhotonics
波长: 1030.4 nm输出功率: 0 to 0.0999 W
Qphotonics公司的QFLD-1030-100S是波长为1030.4nm的激光二极管,输出功率为0~0.0999W,工作电压为1.62V,工作电流为0.233~0.256A,阈值电流为26mA.有关QFLD-1030-100S的更多详细信息,请参阅下文。
- I0830SB0100B半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 830 nm输出功率: 0.1 W
Innovative Photonic Solutions的I0830SB0100B是一款激光二极管,波长为830 nm,输出功率为0.1 W,工作电压为2.2 V,工作电流为0.2 A,输出功率(CW)为0.1 W.有关I0830SB0100B的更多详细信息,请参见下文。
- 3W 100µm x 2mm半导体激光器Coherent Inc.
波长: 780 to 830 nm输出功率: 3 W
来自Coherent Inc.的3W 100µm X 2mm是一款激光二极管,波长为780至830 nm,输出功率为3 W,工作电压为2 V,工作电流为2.7至3 A.3W 100µm X 2mm的更多详情见下文。
- LD65F5S-A/B/C半导体激光器First Sensor
波长: 645 to 660 nm输出功率: 0.01 W
第一个传感器的LD65F5S-A/B/C是波长为645至660nm的激光二极管,输出功率为0.01W,工作电压为2.3至2.6V,工作电流为0.036至0.045A,阈值电流为20至25mA.有关LD65F5S-A/B/C的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
拉比振荡被提出来描述暴露在振荡驱动场下的两级量子系统中的强耦合和群体转移。
用于物体分类任务的轨道-角动量编码衍射网络
二极管泵浦固体(DPSS)激光器是用激光二极管泵浦的固体激光器。