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940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式

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美国
厂家:Vixar Inc.

更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式概述

该产品是一款基于GaAs材料的VCSEL芯片,具有940nm激光波长和10mW的光功率等级。

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式参数

  • 波长 / Wavelength : 940 nm
  • 光功率 / Optical Power : 10.5 W
  • 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C~100°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40°C~110°C
  • 正向电流 / Forward Current : max. 22mA
  • 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
  • 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 500V
  • 正向电压 / Forward Voltage : typ. 2.0V
  • 输出功率 / Output Power : typ. 10.5mW
  • 阈值电流 / Threshold Current : typ. 1.8mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 0.8W/A
  • 电源转换效率 / Power Conversion Efficiency : typ. 36%
  • 峰值波长 / Peak Wavelength : 930nm~950nm
  • 光谱带宽FWHM / Spectral Bandwidth At FWHM : typ. 2nm
  • 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ. 0.066nm/K
  • 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 17°

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式应用

1.根据IEC 60825-1的安全预防措施,用于需要高度集中的可见光和非可见光的设备。2.用于各种需要金属填充材料的半导体设备。

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式特征

1.采用GaAs VCSEL技术。2.激光波长为940nm。3.光功率等级为10mW。4.辐射模式为多模。5.符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1B)的ESD要求。

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图片集

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图1
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图2
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图3
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图4
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图5
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图6
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图7
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图8
940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式图9

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式规格书

940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式厂家介绍

Vixar是欧司朗(AMS Osram)的子公司,凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队,他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案,以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链,提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力,并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。

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