全部产品分类
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
厂家:Vixar Inc.

更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率概述

该产品是一款GaAs VCSEL芯片,波长为940nm,提供2W的脉冲光功率

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率参数

  • 波长 / Wavelength : 940 nm
  • 光功率 / Optical Power : 2.3 W
  • 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -40°C to 110°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40°C to 110°C
  • 正向电流(脉冲操作) / Forward Current (Pulsed Operation) : 6A
  • 正向电流(直流操作) / Forward Current (Direct Current Operation) : 3A
  • 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
  • ESD耐受电压 / ESD Withstand Voltage : 2kV
  • 正向电压 / Forward Voltage : 2.2V
  • 输出功率 / Output Power : 2.3W
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.36A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1W/A
  • 功率转换效率 / Power Conversion Efficiency : 42%
  • 峰值波长 / Peak Wavelength : 930nm to 950nm
  • 光谱带宽FWHM / Spectral Bandwidth At FWHM : 2nm
  • 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : 0.066nm/K
  • 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : 17°

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率应用

1.高度集中的可见光和非可见光的发射,可能对人眼有害,整合这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1的安全预防措施。2.设备的次级组件包含金属填充材料,包括银,可能会受到含有侵蚀性物质痕迹的环境的影响。

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率特征

1.芯片技术:GaAs VCSEL。2.激光波长:940nm。3.光功率等级:2W脉冲。4.辐射轮廓:多模。5.静电放电(ESD):2kV。

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图片集

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图1
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图2
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图3
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图4
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图5
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图6
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图7
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图8
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图9
940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率图10

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率规格书

940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率厂家介绍

Vixar是欧司朗(AMS Osram)的子公司,凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队,他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。 我们开发标准产品和定制解决方案,以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。 Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链,提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力,并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    1550nm High Brightness Pulsed Laser Diodes半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.

    OSI激光二极管公司提供极高亮度的CVLL 1550nm脉冲激光二极管,功率高达75瓦。

  • 光电查
    LD635A5C14 635nm CW Laser Diodes半导体激光器Lasermate Group Inc

    输出功率: 5mW

    LaserMate Group,Inc.自豪地提供符合RoHS标准、低成本和高质量的标准激光二极管,其红光光谱范围为635nm至685nm,输出功率为5mW至700mW。我们的标准CW红外激光二极管采用多种封装,如TO-33(Φ3.3 mm)、TO-18(Φ5.6 mm)、TO-5(Φ9 mm)、TO3、C-mount、F-mount、引线框架和子安装芯片(COS),以及连接器化(尾纤和插座)封装。

  • 光电查
    NLD52100SG半导体激光器Roithner Lasertechnik

    波长: 510 to 530 nm输出功率: 0.1 W

    Roithner Lasertechnik的NLD52100SG是波长为510至530 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为6 V、工作电流为0至0.35 A、阈值电流为170 mA的激光二极管。有关NLD52100SG的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    VPSL-0638-110-x-5-F半导体激光器Blue Sky Research

    波长: 632 to 644 nm输出功率: 0.11 W

    Blue Sky Research的VPSL-0638-110-X-5-F是波长为632至644 nm、输出功率为0.11 W、工作电压为2.4至3 V、工作电流为100至200 mA、阈值电流为35至65 mA的激光二极管。有关VPSL-0638-110-X-5-F的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    M12-xxxx-560半导体激光器Lumentum Operations LLC

    波长: 980 nm输出功率: Up to 0.6 W

    Lumentum Operations LLC的M12-XXXX-560是一款激光二极管,波长为980 nm,输出功率高达0.6 W,工作电流为1505 mA,阈值电流为170 mA,输出功率(CW)高达0.6 W.有关M12-XXXX-560的更多详细信息,请参见下文。

相关文章