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下载规格书 以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
全部产品分类
ZQ1 405nm 紧凑型高性能激光器概述
ZQ1 405nm 紧凑型高性能激光器参数
- 输出功率 / Output Power (avg): : 0.7W
- 激光波长 / Wavelength: : 0.405um
- 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : Not Applicable
ZQ1 405nm 紧凑型高性能激光器规格书
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Perot Laser Diode LD-9XX-YY-250- 984nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 250mW
•150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围900-1010nm •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管
- LDX-2305-665: 665nm 280mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 280mW
该665nm红色二极管激光器从自由空间封装中的60μm发射器产生350mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生280mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- ASM232P050半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 50 W
Northrop Grumman公司的ASM232P050是一种波长为808 nm、输出功率为50 W、工作电压为1.8 V、工作电流为54 A、阈值电流为12000 mA的激光二极管。有关ASM232P050的更多详细信息，请参阅下文。
- LD1490-C010半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1482 to 1498 nm输出功率: 0.01 W
来自Roithner Lasertechnik的LD1490-C010是波长为1482至1498nm、输出功率为0.01W、工作电压为1.2至1.6V、工作电流为0.038至0.065A、阈值电流为18至30mA的激光二极管。有关LD1490-C010的更多详细信息，请参阅下文。
- NX6309GH半导体激光器CEL
波长: 1290 to 1330 nm输出功率: 0 to 0.01 W
来自CEL的NX6309GH是波长为1290至1330 nm的激光二极管，输出功率为10 MW，输出功率为0至0.01 W，工作电压为1.1至1.6 V，阈值电流为10至45 mA.有关NX6309GH的更多详细信息，请参阅下文。
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