LD1490-C010

输出功率: 400mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 701 nm输出功率: 0 to 0.05 W

来自Qphotonics的QLD-730-50S是波长为701nm的激光二极管，输出功率为0至0.05W，工作电压为2.52V，工作电流为0.088至0.097A，阈值电流为32mA.有关QLD-730-50S的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 905 nm输出功率: 35 W

来自OSI Laser Diode，Inc.的CVD 163是波长为905nm、输出功率为35W、输出功率（CW）为35W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

波长: 1550 nm输出功率: 3.3 W

4PN-108是Seminex公司生产的波长为1550nm，输出功率为3.3W，工作电压为1.7V，工作电流为12A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-108的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 637 nm输出功率: 1.2 W

Thorlabs的L637G1是一款637 nm GaAs激光二极管，输出功率为1.2 W.这款紧凑型光源适用于各种应用，采用Ø9 mm封装和G引脚配置。该二极管的引线直径为0.6 mm，大于Ø9 mm封装的典型直径0.45 mm.这使得它与设计用于标准Ø9 mm TO-CAN封装的底座和插座不兼容。这种激光二极管发出高强度的可见光，可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。购买产品时随附一个插座，以协助焊接。