由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。
光电二极管MID-IR PD 25-10-PA概述
光电二极管MID-IR PD 25-10-PA参数
- 二极管类型 / Diode Type: : InGaAs
- 工作波长 / Wavelength Of Operation: : 2460nm
光电二极管MID-IR PD 25-10-PA规格书
光电二极管MID-IR PD 25-10-PA厂家介绍
相关内容
相关产品
- Gentec-EO High Power Detector UP19K-30H-H5-D0光电探测器Gentec-EO
Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列(XLP12、UP12E、UP10K(P)、UP17P、UP19K、UP25N(M)、UP25T、UP50N(M)、up55N(M.)、up55C、uP60N(M.)、uP55G和uP60G)的光热传感器,具有不同的冷却选项(独立、散热器、风扇和水),带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。
- Large Area InGaAs Photodiodes光电探测器GPD Optoelectronics Corp
大面积InGaAs光电二极管
- ODD-1 Red Enhanced Photodiode In TO-18 Pkg光电探测器Opto Diode
光电二极管光电二极管1mm^2,用于OEM、工业和科学应用。
- FPD310-FC-VIS光电探测器Menlo Systems
光电探测器类型: PIN波长范围: 400 to 1000 nm
来自Menlo Systems的FPD310-FC-VIS是波长范围为400至1000nm、上升时间为0.5ns、带宽调制带宽为5至1000MHz、有效区域直径为0.25mm的光学检测器。有关FPD310-FC-VIS的更多详细信息,请参阅下文。
- UPD-200-UD光电探测器ALPHALAS
光电探测器类型: Avalanche波长范围: 170 to 1100 nm
来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
混合过氧化物材料被广泛认为对下一代光子技术有重大的实际影响。由于其独特和更好的光电特性,铅基材料是最常见的。然而,人们认为铅的毒性很高,这可能会减缓甚至阻碍商业化的速度,因此对这些器件中存在的铅提出了一些质疑。
布里斯托尔大学的研究人员通过将世界上最小的量子光探测器集成到硅芯片上,在缩放量子技术方面取得了重要突破。这篇题为“双cmos电子光子集成电路量子光探测器”的论文发表在《科学进展》杂志上。
光电探测器也被称为光敏器,将光能转变为电信号。多年来,科学家们一直设想开发新型检测器,以发展卓越的太阳能电池。