这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。
UPD-200-UD概述
UPD-200-UD参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- 波长范围 / Wavelength Range : 170 to 1100 nm
- 上升时间 / Rise Time : 175 ps
- 暗电流 / Dark Current : 0.001 nA
- 窗口材料 / Window Material : Diffuse, Quartz
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.126 mm
UPD-200-UD规格书
UPD-200-UD厂家介绍
AlphaLas GmbH是一家德国激光制造商。作为一家高科技激光公司,我们在激光、光学和激光相关电子领域提供广泛的产品。
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