激光二极管FIDL-10S-850X-TEC

输出功率: 1000mW

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

输出功率: 12mW

Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模和9 mm封装。HL6395MG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL6395MG是工业和校准应用的理想选择，要求运行可靠，使用寿命长，输出功率稳定。

输出功率: 450mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的Inplaser芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、棒材和封装经过测试，可满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 780 nm输出功率: 0.02 to 0.03 W

来自Innolume的GC-780-40-TO-30-B是一种激光二极管，波长为780 nm，输出功率为0.02至0.03 W，工作电流为0.15至0.15 A，输出功率（CW）为0.02到0.03 W.有关GC-780-40-TO-30-B的更多详细信息，请参见下文。

波长: 770 to 790 nm输出功率: 0.04 W

Laserscom的LDI-780-FP-40是一款激光二极管，波长为770至790 nm，输出功率为40 MW，输出功率为0.04 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为0.11至0.14 A.有关LDI-780-FP-40的更多详细信息，请参见下文。