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下载规格书 紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
光子学提供了各种优势，包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的，包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
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GC-780-40-to-30-B概述
来自Innolume的GC-780-40-TO-30-B是一种激光二极管，波长为780 nm，输出功率为0.02至0.03 W，工作电流为0.15至0.15 A，输出功率（CW）为0.02到0.03 W.有关GC-780-40-TO-30-B的更多详细信息，
GC-780-40-to-30-B参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 780 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.02 to 0.03 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.15 to 0.15 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
GC-780-40-to-30-B规格书
GC-780-40-to-30-B厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- JOLD-120-QPXF-2P W-938nm - Fiber Coupled Diode Laser半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 938nm输出功率: 2000mW
特点：•120 W QCW的高光输出功率•纤芯直径：600μm（NA 0.22）•集成式先导激光器和功率监控器•长寿命>1GShot，高可靠性
- MLD840-5S5N半导体激光器MeshTel
波长: 830 to 850 nm输出功率: 0.005 W
Meshtel公司的MLD840-5S5N是一种激光二极管，其波长为830至850 nm，输出功率为0.005 W，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为0.02至0.035 A，阈值电流为15至30 mA.有关MLD840-5S5N的更多详细信息，请参阅下文。
- C-123半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1625 nm输出功率: 0.45 W
C-123是美国Seminex公司生产的波长为1625nm，输出功率为0.45W，工作电压为3.1V，工作电流为1.8A，阈值电流为50mA的半导体激光器。C-123的更多细节可以在下面看到。
- C-130半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1310 nm输出功率: 6.2 W
C-130是Seminex公司生产的波长为1310nm，输出功率为6.2W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为450mA的半导体激光器。C-130的更多细节可以在下面看到。
- HPC 50W半导体激光器II-VI Incorporated
II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管，工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W，功率转换效率超过60%，斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm，在FWHM处的光束发散角为5.5度（平行）和26度（垂直）。它的填充因子为18%，波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极，发射极间距为500μm，发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范，具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下，专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤（COD）。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率，特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上，采用传导冷却的铜块封装，在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装，非常适合材料加工（焊接、切割等）、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。
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