收藏 
下载规格书 发光是吸收某一特定波长的光，并以大于吸收的波长发射出光的过程。
全部产品分类
概述
Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。
参数
- 探测器类型 / Detector Type: : Thermal Absorber (thermopile)
- 光谱范围 / Spectral Range: : 0.19 - 20 um
- 尺寸 / Size: : 12mm
- 最大功率 / Maximum Power: : 70W
- 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power: : 1000uW
- 最大平均功率密度 / Max Average Power Density: : 36kW/cm2
图片集
规格书
厂家介绍
作为一家前激光制造商，Gentec-EO了解客户的需求。事实上，公司在1972年将先进台高重复率TEA CO2激光器投放市场时，其先进台激光能量测量产品就是为内部使用而开发的。不久之后，Gentec，Inc.推出了先进台热释电焦耳计。Gentec公司也是先进家同时生产热电堆和热释电激光功率和能量探测器的公司。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- Gentec-EO High Power Detector UP19K-150W-H5-D0光电探测器Gentec-EO
Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。
- Gentec-EO High Power Detector UP55M-500W-H12-D0光电探测器Gentec-EO
Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。
- HTS A11 Detector光电探测器Heimann Sensor GmbH
HTS系列由TO-39晶体管外壳中的热电堆传感器芯片组成，具有高灵敏度、再现性和可靠性以及较小的灵敏度温度系数。较小的热电堆芯片TP1非常适合需要精确测量点的温度测量，而热电堆芯片类型TP3则针对较高信号输出进行了优化。此外，Heimann Sensor还可以将热电堆传感器芯片与ASIC集成在TO-39外壳中（HIS系列）。
- LPD 3080光电探测器OSI Laser Diode, Inc.
光电探测器类型: PIN
来自OSI Laser Diode，Inc.的LPD 3080是一款光学探测器，其暗电流为0.05至0.5 nA，电容为0.5至0.75 PF，带宽为2.5 GHz，响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W，有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息，请参阅下文。
- UPD-40-UVIR-P光电探测器ALPHALAS
光电探测器类型: Avalanche波长范围: 350 to 1700 nm
来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。有关UPD-40-UVIR-P的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
什么是比尔-朗伯特定律（Beer-Lambert's Law）？
比尔-朗伯特定律是朗伯特定律（1730年）和比尔定律（1850年）的结合，它制约着低浓度的分子对光辐射的吸收。
波士顿学院研究小组利用量子传感器揭示了Weyl光电流的流动方式
波士顿学院（BC）物理学助理教授Brian Zhou及其同事在《自然-物理学》杂志上报告说，量子传感器可以被用来揭示一种在Weyl半金属中将光转化为电的惊人的新机制。
由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用，对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs)，其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案，具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。