全部产品分类
UPD-40-UVIR-P 光电探测器

UPD-40-UVIR-P

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
德国
分类:光电探测器
厂家:ALPHALAS

更新时间:2023-02-23 15:50:32

型号: UPD-40-UVIR-P

UPD-40-UVIR-P概述

来自AlphaLas的UPD-40-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为40ps、暗电流为0.5nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.0028mm的光学检测器。有关UPD-40-UVIR-P的更多详细信息,

UPD-40-UVIR-P参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 波长范围 / Wavelength Range : 350 to 1700 nm
  • 上升时间 / Rise Time : 40 ps
  • 暗电流 / Dark Current : 0.5 nA
  • 窗口材料 / Window Material : Polished, MgF2
  • 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.0028 mm

UPD-40-UVIR-P规格书

UPD-40-UVIR-P厂家介绍

AlphaLas GmbH是一家德国激光制造商。作为一家高科技激光公司,我们在激光、光学和激光相关电子领域提供广泛的产品。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    Gentec-EO Discrete Pyroelectric Sensor QS9-H光电探测器Gentec-EO

    我们的热电探测器是一类室温热探测器,当暴露于辐射源时,其产生的电流输出与温度变化率成正比。它们较好用交流电流源、电容器和电阻器来描述。它们的电流输出由方程I=P(T)·A·DT/DT决定,其中I是电流,P(T)是Pyro系数,A是由前电极限定的面积,DT/DT是Pyro晶体的温度变化率。与其他红外探测器相比,热释电探测器的优点是:室温操作、宽光谱响应、高灵敏度(D*)和快速响应(亚纳秒至50Ω)。我们的被动式分立热电探测器直径范围为1至9毫米,并提供两种配置:高灵敏度或高平均功率。他们展示了覆盖有我们的金属涂层(MT)的热电探测器元件,并封装在微型TO-5或TO-8罐中。左图显示了两种类型探测器的引脚排列。我们的有机黑色涂层(BL),增加了光学吸收,并有助于平坦的光谱响应。我们还提供许多可添加到TO CAN的永久红外窗口。这些离散的Pyro探测器是脉冲激光应用的理想选择。

  • 光电查
    ODD-8SMD General Purpose SMD Photodiode光电探测器Opto Diode

    光电二极管表面贴装光电二极管,适用于OEM、工业和科学应用。

  • 光电查
    FPD310-FC-VIS光电探测器Menlo Systems

    光电探测器类型: PIN波长范围: 400 to 1000 nm

    来自Menlo Systems的FPD310-FC-VIS是波长范围为400至1000nm、上升时间为0.5ns、带宽调制带宽为5至1000MHz、有效区域直径为0.25mm的光学检测器。有关FPD310-FC-VIS的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    PB30 Series光电探测器Laser Components

    光电探测器类型: PIN波长范围: 2.6 to 2.7 um

    Laser Components的PB30系列是TE冷却的光电导单元件PBS探测器,工作温度为-45至-55摄氏度,20%截止温度为3.4µm.其光谱范围为1至3.4µm.该系列广泛用于分析、安全和辐射测量应用。

  • 光电查
    LIE-202光电探测器InfraTec

    INFRATEC的LIE-202是一款光学探测器,其响应度/光敏电压响应度(RMS):900 V/W.LIE-202的更多详情见下文。

相关文章

  • 什么是发光?有哪些不同的类型?

    发光是吸收某一特定波长的光,并以大于吸收的波长发射出光的过程。

  • 范德华斯-肖特基结的基础和光电探测器应用

    基于二维肖特基结的光电探测器的最新进展,这些探测器具有高灵敏度、自驱动工作和快速响应的特点。与传统的大块肖特基结光电探测器相比,二维肖特基结器件有望具有更低的暗电流。

  • 单质子照亮钙钛矿纳米晶基透射薄闪烁体

    新加坡国立大学(NUS)的研究人员利用钙钛矿纳米晶体开发了一种透射式薄闪烁体,用于实时跟踪和计数单个质子。这种特殊的灵敏度归因于质子诱导的上转换和冲击电离产生的双激子辐射发射。

  • 有机红外探测器提供了先进的成像技术

    由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。