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下载规格书 光学参数振荡器optical parametric oscillator（OPO）是一种像激光一样的相干光源，但使用的是非线性晶体中的光学放大过程，而不是受激发射。由于
全部产品分类
概述
•350/500/550mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1170-1280nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.244um
- 输出功率 / Output Power: : 500mW
规格书
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图片名称分类制造商参数描述
- DPGAx1S03H Pulsed Laser Diodes半导体激光器Excelitas Technologies
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
- EYP-RWS-0760-00010-1500-BFY02-0000 SINGLE FREQUENCY LASER DIODE半导体激光器eagleyard Photonics GmbH
波长: 0.76nm输出功率: 10mW
760nm波长稳定激光器，带密封14针蝶形外壳（符合RoHS规范），包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻，带PM光纤和角度抛光连接器（APC）
- LASER DIODE FAXD-808-0.2W-50半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 200mW
FAXD-808-0.2W-50是一款多模半导体激光器808nm连续输出功率为0.2W的二极管。发射体尺寸为50µm。它适用于各种光电应用。
- QDFBLD-1490-20DIL半导体激光器QPhotonics
波长: 1491 nm输出功率: 0 to 0.02 W
QDFBLD-1490-20DIL是一款波长为1491 nm的激光二极管，输出功率为0~0.02 W，工作电压为1.43 V，工作电流为0.107~0.118 A，阈值电流为10 mA.有关QDFBLD-1490-20DIL的更多详细信息，请参阅下文。
- CVD 46半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 905 nm输出功率: 3 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CVD 46是波长为905nm、输出功率为3W、输出功率（CW）为3W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。
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