在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
DPGAx1S03H 脉冲激光二极管
更新时间:2024-04-19 14:40:59
DPGAx1S03H 脉冲激光二极管概述
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
DPGAx1S03H 脉冲激光二极管参数
- 激光波长 / Wavelength: : 0.905um
- 脉宽 / Pulse Duration: : 1 - 1 ns
- 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : Not Applicable
DPGAx1S03H 脉冲激光二极管规格书
DPGAx1S03H 脉冲激光二极管厂家介绍
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