光电设备

KD*P（磷酸二氘钾）由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料，当施加的电压引起晶体中的双折射变化时，诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态，当与偏振器结合使用时，KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用，其中吸收限制了其在有源腔中的使用，尽管当可以容忍几个百分点的吸收时，它可以在更长的波长下使用。

DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能

定制普克尔盒

1x1，1x2，低Vπ紧凑型X切割调制器。

产品型号 :SOA 半导体光放大器（SOA 放大器），当使用我们的脉冲 SOA 驱动器在脉冲状态下驱动时，会变成高动态范围光纤 调制解决方案可用于 750 至 1700 nm。 它是一个 无损、高消光比和潜在的高偏振器件。 该 SOA 脉冲驱动器可提供由板载脉冲发生器在内部生成的精确脉冲，或根据需要从外部 TTL 信号生成的脉冲。 以纳秒脉冲方式驱动的 SOA 放大器（半导体光放大器）可以与 AOM、EOM 或直接激光二极管调制器进行比较。 它是先进满足可靠、稳定和高效光纤调制所有限制的解决方案。