研究人员开发了一种3D全彩显示方法,该方法使用智能手机屏幕而不是激光来创建全息图像。随着进一步的发展,这种新方法可以用于增强现实或虚拟现实显示。
DKDP Pockles细胞概述
DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关(Q-Switch,Pockels Cell)因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲(1Ons)激光系统中,DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体,其消光比为2000:1(使用632 nm He-Ne激光器测量),波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小(约3-5pF),因此上升时间短(0.5ns),调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光,与市场上广泛使用的电光晶体相比,具有更高的损伤阈值;在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下,损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真:低电容-上升时间短:~3pF-高透光率:98%-高损伤阈值:1GW/cm2-无静态双折射,无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能
DKDP Pockles细胞参数
- 孔径 / Aperture Diameter: : 50mm
- 峰值光功率密度 / Peak Optical Power Density: : 700MW/cm^2
- 波长范围 / Wavelength Range: : 300 - 1100 nm
- 变速箱 / Transmission: : 97%
- 消光比 / Extinction Ratio: : >= 1000:1
DKDP Pockles细胞图片集
DKDP Pockles细胞规格书
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Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。
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