传统上,高功率193纳米(nm)激光器在光刻中起着关键作用,形成了用于精确图案的系统的组成部分。然而,传统ArF准分子激光器的相干性限制阻碍了它们在需要高分辨率图案的应用中的有效性,如干涉光刻。
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EKSMA交叉偏振光发电晶体 - BaF2 - 540-7110系列
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更新时间:2024-04-19 14:40:59
型号:
EKSMA交叉偏振光发电晶体 - BaF2 - 540-7110系列概述
EKSMA交叉偏振光发电晶体 - BaF2 - 540-7110系列参数
- 水晶类型 / Type Of Crystal: : BaF2
- 传输范围 / Transmission Range: : 0.135 - 15 um
- 高度 / Height: : 10mm
- 宽度 / Width: : 10mm
- 厚度 / Thickness: : 1mm
- 表面质量 / Surface Quality (Scratch-Dig): : 60-40
- 表面平整度 / Surface Flatness: : <= Lambda/2
EKSMA交叉偏振光发电晶体 - BaF2 - 540-7110系列规格书
EKSMA交叉偏振光发电晶体 - BaF2 - 540-7110系列厂家介绍
自 1995 年以来,我们一直与客户和供应商合作,以实现突破性技术、创新产品和前沿研究。我们一直参与关键技术的收购和许可,以协助初创企业和成熟公司。我们的供应商包括 EKSPLA、Light Conversion、EKSMA Optics、Standa、LaserShield 和 TMC。
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图片名称分类制造商参数描述
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