KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法,使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片
更新时间:2024-04-19 14:40:59
Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片概述
Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 2.25um
- 输出功率 / Output Power: : 15mW
Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片规格书
Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片厂家介绍
相关内容
相关产品
- FARL-20S-635-TO56 LASER DIODE 635nm 20mW半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 20mW
FARL-20S-635-TO56激光二极管635nm 20mW。
- LASER DIODE FIDL-5S-750X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。
- PH767DBR Series半导体激光器Photodigm, Inc
波长: 765 to 769 nm输出功率: 0.02 to 0.08 W
来自Photodigm,Inc的PH767DBR系列是波长为765至769 nm、输出功率为0.02至0.08 W、工作电压为2至2.5 V、工作电流为0.15 A、阈值电流为50至70 mA的激光二极管。有关PH767DBR系列的更多详细信息,请参阅下文。
- PH920DBR Series半导体激光器Photodigm, Inc
波长: 918 to 922 nm输出功率: 0.04 to 0.12 W
Photodigm,Inc的PH920DBR系列是波长为918至922 nm、输出功率为0.04至0.12 W、工作电压为2至2.5 V、工作电流为0.15 A、阈值电流为30至40 mA的激光二极管。有关PH920DBR系列的更多详细信息,请参阅下文。
- CMC-975-3000-1XX半导体激光器Sheaumann Laser
波长: 975 nm输出功率: 3 W
Sheaumann Laser的CMC-975-3000-1xx是一款激光二极管,波长为975 nm,输出功率为3 W,工作电压为1.7至2.2 V,工作电流为3.6至3.8 A.有关CMC-975-3000-1xx的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗(FP)激光器到 DFB 和 DBR 激光器,这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
位于荷兰的研究人员开发出 "量子产率超过200%"的光电二极管
埃因霍温和TNO团队对基于多个堆叠电池的太阳能电池板采用类似的方法。