785L-14A：785nm激光器（二极管；MATCHBOX 2）。

输出功率: 500mW

FIDL-500M-820X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 10mW

FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

波长: 670 to 690 nm输出功率: 0.25 W

来自Intense Limited的Intense 1302是波长为670至690nm、输出功率为0.25W、工作电压为2.3V、工作电流为0.55A的激光二极管。Intense 1302的更多细节可以在下面看到。

波长: 940 nm输出功率: 4.5 W

Compound Photonics公司的AM6-940C-10-458是波长为940 nm、输出功率为4.5 W、工作电压为5.4~6.2 V、工作电流为6.4~7.3 A、阈值电流为400 mA的激光二极管。有关AM6-940C-10-458的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 650 nm输出功率: 0 to 0.005 W

D6-5-650-5-N（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.6V，工作电流为28~40mA，阈值电流为21~30mA.有关D6-5-650-5-N的更多详细信息，请参阅下文。