密集型1302

输出功率: 1000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

输出功率: 170mW

HL63133DG AlGaInP半导体激光器。

波长: 830 nm输出功率: 250 mW

ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案，适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用，例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射，并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中，它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳，允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管，用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。

波长: 1260 to 1670 nm输出功率: 0.005 to 0.01 W

来自Denselight Semiconductors的DL-BF10是波长为1260至1670 nm、输出功率为0.00 5至0.01 W、工作电压为0至2.5 V、工作电流为0至2.5 A、输出功率（CW）为0.00 5至0.01 W的激光二极管。

波长: 1645 to 1655 nm输出功率: 0.025 to 0.08 W

CEL的NX8663JB-BC是一款激光二极管，波长为1645至1655 nm，输出功率为25至80 MW，输出功率为0.025至0.08 W，阈值电流为20至60 mA，工作温度为-20至65摄氏度。有关NX8663JB-BC的更多详细信息，请参见下文。