由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
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445L-11A：445纳米激光器（二极管；MATCHBOX 2）。
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
型号:
概述
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.447um
- 输出功率 / Output Power: : 60mW
图片集
规格书
厂家介绍
RPMC Lasers，Inc.成立于1996年，旨在协助LDX Optronics在全球范围内推广其高品质激光二极管产品。这使得LDX Optronics能够专注于技术挑战，而不受销售电话和营销努力的影响。LDX Optronics取得了很好的成功。有了这一成功，我们意识到我们可以为其他激光公司做同样的事情，并在做这件事的同时享受规模经济，从而为我们的主要业务以及我们自己增加价值。随着时间的推移，更多的激光公司被添加到我们的初选名单中。我们很高兴地报告，我们从未被初选解雇，但我们知道，随着我们的一些初选规模越来越大，他们的需求发生变化，这是可能发生的情况之一。
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图片名称分类制造商参数描述
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- Near Infra-Red Vertical Cavity Surface Emitting Laser 1W半导体激光器Vixar Inc.
波长: 850nm
近红外垂直腔面发射激光器（VCSEL）型号：多模阵列VCSEL中心波长：850nm不带漫射器的光功率：1瓦
- IND02D100D102半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 5.5 mW波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02D100D102是波长为1284.5nm、1291nm、1297.5nm、输出功率为5.5mW、工作电压为1.6V、阈值电流为5至19mA的激光二极管。有关IND02D100D102的更多详细信息，请参阅下文。
- S14 - QCW半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 830 to 1100 nm输出功率: 100 to 300 W
美国Leonardo Electronics公司的S14-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S14-QCW的更多细节可以在下面看到。
- NV4V31SF半导体激光器CEL
波长: 400 to 410 nm输出功率: 0 to 0.175 W
CEL的NV4V31SF是一款激光二极管，波长为400至410 nm，输出功率为175 MW，输出功率为0至0.175 W，阈值电流为35至55 mA，工作温度为-5℃至85℃。NV4V31SF的更多详细信息如下所示。
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激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
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