单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
1.5μm高峰值功率脉冲光源概述
1.5μm高峰值功率脉冲光源参数
1.5μm高峰值功率脉冲光源特征
1.高峰值功率,可达 15kW
2.窄脉宽
3.光束质量好
4.散热设计具有可靠性
1.5μm高峰值功率脉冲光源详述
1.5μm高峰值功率脉冲光源规格书
1.5μm高峰值功率脉冲光源厂家介绍
相关内容
相关产品
输出功率: 300mW
•300/400/500mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1090-1130nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
波长: 1325 nm(+/-20)输出功率: 5.5 w
Seminex Corporation的B-103-134是一款激光二极管,波长为1325 nm(+/-20),输出功率为5.5 W,工作电压为1.8 V,工作电流为14 A.有关B-103-134的更多详细信息,请参见下文。
波长: 670 to 700 nm输出功率: 30 mW
Quantum Semiconductor International的QL68I6S-A/B/C是一种激光二极管,波长为670至700 nm,输出功率为30 MW,工作电压为2至3 V,工作电流为59至140 mA.有关QL68I6S-A/B/C的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 940 nm输出功率: 200 mW
Sheaumann Laser的M9-940-0200是一种激光二极管,工作波长为940 nm.连续输出功率为200mW,斜率效率为0.9W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗260 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装,是光学数据存储、激光雷达和飞行时间应用的理想选择。
输出功率: 7.5 to 8 W
Vertilite的CAC940K004是一款激光二极管,波长为934 nm、940 nm、946 nm,输出功率为7.5至8 W,工作电压为4.3至5.3 V,工作电流为3.5 A.有关CAC940K004的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
光学参数振荡器optical parametric oscillator(OPO)是一种像激光一样的相干光源,但使用的是非线性晶体中的光学放大过程,而不是受激发射。由于
激光二极管在太空应用中已使用多年。 它们的主要用途是作为固态激光器的泵浦,并为这些应用开发了鉴定方法。
Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。