在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
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EP1278-DM-B
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-01-03 14:54:09
型号: EP1278-DM-B
EP1278-DM-B概述
EP1278-DM-B参数
- 波长 / Wavelength : 1260-1288 nm
- 储存温度 / Storage Temperature : -40-85 Degree C
- 正向电压 / Forward Voltage : null-2 V
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.15 mW/mA
- 输出功率 / Output Power : 5-12 mW
- 正向电流（PD） / Forward Current(PD) : null-120 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 15 mA
- 热敏电阻 / Thermistor Resistance : 9.5-10.5 kW
EP1278-DM-B详述
EP1278-DM-B图片集
EP1278-DM-B规格书
EP1278-DM-B厂家介绍
Eblana Photonics起源于爱尔兰一流大学和研究中心（包括都柏林圣三一学院和国家微电子研究中心（现为廷德尔国家研究所））的先进光子学研究项目。该公司由James O Gorman博士和John Hegarty教授于2001年创建，他们两人都曾在贝尔实验室（AT&T的研发部门）进行数据通信激光研究。在创建公司之前，James曾管理都柏林三一学院的Optronics Ireland工厂，而John后来被任命为三一学院的教务长。Eblana的创建是出于将可扩展激光制造技术商业化的共同愿望，该技术能够降低用于各种大众市场应用的高性能单波长激光器的成本。
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图片名称分类制造商参数描述
- HL7301MG LASER DIODE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 50mW
Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红色激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL7301MG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL7301MG是工业和医疗应用的理想选择，要求运行可靠，使用寿命长，输出功率稳定。
- LASER DIODE FLX-780-2000M-100半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
FLX-780-2000M-100是一款多模半导体激光器。780nm连续输出功率2000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
- LASER DIODE FMTL-2200-500-90半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 500mW
FMTL-2200-500-90是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。
- LDX-4219-760: Laser Diode Bar Package半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 20000mW
高功率二极管激光棒适用于要求较苛刻的应用。它们非常可靠、高效和耐用。这种高功率激光二极管棒采用标准CS封装。可根据要求提供其他套餐选项。我们的半导体产品易于使用标准焊接方法进行组装。该材料支持软焊料（铟）和硬焊料（金/锡）。
- 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）半导体激光器Vixar Inc.
波长: 894.6 nm输出功率: 0.3 mW输出功率: typ. 0.3mW
来自Vixar的V00140，是波长为895nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.3mW，阈值电流为0.61mA，正向电流为1.4mA，线宽≤100MHz，调制带宽≥4.6GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。
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