SPL EN91-40-8-10B

输出功率: 100mW

FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 260mW

World Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管均可通过光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。ML60171C激光二极管具有单一模式。三菱ML6xx71是一种高功率、高效率的半导体激光二极管，其发射波长为827nm，标准光输出为260mW。该LD具有窄条结构，即使在高输出功率下也能够实现更好的光束质量。

波长: 1310 nm输出功率: 0.18 W

OSI Laser Diode，Inc.的1330系列是一款激光二极管，波长为1310 nm，输出功率为0.18 W，工作电压为1.2至1.6 V，阈值电流为30 mA，输出功率（CW）为0.18 W.1330系列的更多详情见下文。

波长: 808 nm输出功率: 1 W

Roithner Lasertechnik公司的LDM-0808-001W-13是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为1 W，工作电压为2 V，工作电流为0~1.24 A，阈值电流为240 mA.有关LDM-0808-001W-13的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.18 W

来自Anritsu Corporation的AF4B118AA75L是波长为1460至1490nm、输出功率为0.18W、工作电压为2.5V、阈值电流为50mA、输出功率（CW）为0.18W的激光二极管。