收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
SFH 314概述
SFH 314参数
- 材料 / Material : Silicon
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 70 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 3 to 200 nA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 460 to 1080 nm
SFH 314规格书
SFH 314厂家介绍
欧司朗制造了许多创新产品，以帮助解决移动、安全和安保方面的日常问题。他们的产品和服务帮助人们看得更好，沟通更好，移动更好，工作和生活更好。欧司朗正在从一家领先的照明生产商发展成为光子学领域的高科技冠军。光子学涵盖了可见光和不可见光的整个技术范围。例如，他们的高品质LED用于汽车应用中的可视化。它们还提供用于传感的红外线和激光，作为智能手机中自动驾驶或面部识别的基础。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP599D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP599D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2 mA.有关OP599D的更多详细信息，请参见下文。
- OP800WSL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息，请参见下文。
- OP804SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为7 mA至22 mA，功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情，请参见下文。
- NTE3034A光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 800 nm
NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 325光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1120 nm
OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）35 V，功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。