收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
OSRAM的BPY 62是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗200 MW.有关BPY 62的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Silicon
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 7 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
规格书
厂家介绍
欧司朗制造了许多创新产品，以帮助解决移动、安全和安保方面的日常问题。他们的产品和服务帮助人们看得更好，沟通更好，移动更好，工作和生活更好。欧司朗正在从一家领先的照明生产商发展成为光子学领域的高科技冠军。光子学涵盖了可见光和不可见光的整个技术范围。例如，他们的高品质LED用于汽车应用中的可视化。它们还提供用于传感的红外线和激光，作为智能手机中自动驾驶或面部识别的基础。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP506W光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息，请参见下文。
- OP593B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP593B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2至4 mA.有关OP593B的更多详情，请参见下文。
- NTE3037光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon
NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请参阅下文。
- L14P2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14P2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为13 mA，功耗为300至600 MW.有关L14P2的更多详细信息，请参见下文。
- L14U2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。