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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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BPX 81概述
OSRAM的BPX 81是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗90 MW.有关BPX 81的更多详细信息，
BPX 81参数
- 材料 / Material : Silicon
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 7 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1100 nm
BPX 81规格书
BPX 81厂家介绍
欧司朗制造了许多创新产品，以帮助解决移动、安全和安保方面的日常问题。他们的产品和服务帮助人们看得更好，沟通更好，移动更好，工作和生活更好。欧司朗正在从一家领先的照明生产商发展成为光子学领域的高科技冠军。光子学涵盖了可见光和不可见光的整个技术范围。例如，他们的高品质LED用于汽车应用中的可视化。它们还提供用于传感的红外线和激光，作为智能手机中自动驾驶或面部识别的基础。
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图片名称分类制造商参数描述
- BPW76B光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请参阅下文。
- BPW85B光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息，请参阅下文。
- OP750D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP750D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP750D的更多详情，请参见下文。
- OP775A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP775A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP775A的更多详情，请参见下文。
- PT204-6C光电晶体管Ever Light
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 940 nm
Ever Light的PT204-6C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6C的更多详细信息，请参见下文。
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