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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
来自Light In Motion的L14G2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G2的更多详细信息，
参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 45 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.5 mA
规格书
厂家介绍
Light In Motion Organization致力于设计、制造和供应专用于传感器行业的高质量、高可靠性的光学发射器和探测器组件和组件。请参阅我们的能力声明。Light In Motion的所有者将与飞利浦半导体（Philips Semiconductor）、GI Optoelectronics、QT Optoelectronics和飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）合作50年的经验带到了这项业务中。我们拥有丰富的半导体、光学工程、制造技术、供应链和特定应用经验，所有客户都可以找到满足其传感器要求的标准、半定制或定制解决方案。
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图片名称分类制造商参数描述
- BPW85光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息，请参阅下文。
- TEFT4300光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 875 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请参阅下文。
- OP798B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情，请参见下文。
- OP802SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2 mA至5 mA，功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情，请参见下文。
- KPT081M31光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1000 nm
Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。
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