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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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PT086T概述
Optrans America的PT086T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关PT086T的更多详细信息，
PT086T参数
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
PT086T规格书
PT086T厂家介绍
OpTrans America是为医疗、机器人、汽车、光纤、航空航天和国防等原始设备制造商研究、开发和制造高端定制设计光电设备和系统的行业做的较好的。Optrans America在全球公认的Optrans公司内运营，该公司成立于1987年，总部设在日本。Optrans America成立于1994年，总部位于纽约州。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP509B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息，请参见下文。
- OP538FB光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 313 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 740 to 1080 nm
来自OSRAM的SFH 313 FA是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功耗为200 MW，波长（光谱灵敏度）为740至1080 nm.有关SFH 313 FA的更多详细信息，请参阅下文。
- AM2520P3C03光电晶体管kingbrightusa
来自KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.8至1.5 mA，功耗100 MW.有关AM2520P3C03的更多详细信息，请参阅下文。
- KP-3216P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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