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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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PT086N4概述
Optrans America的PT086N4是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关PT086N4的更多详细信息，
PT086N4参数
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
PT086N4规格书
PT086N4厂家介绍
OpTrans America是为医疗、机器人、汽车、光纤、航空航天和国防等原始设备制造商研究、开发和制造高端定制设计光电设备和系统的行业做的较好的。Optrans America在全球公认的Optrans公司内运营，该公司成立于1987年，总部设在日本。Optrans America成立于1994年，总部位于纽约州。
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图片名称分类制造商参数描述
- TEMT1040光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。
- OP538FA光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请参见下文。
- OP705C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP705C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.50至4.85 mA.有关OP705C的更多详情，请参见下文。
- SFH 305光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
OSRAM的SFH 305是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为70 MW.SFH 305的更多细节可以在下面看到。
- SFH 3204光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1120 nm
来自OSRAM的SFH 3204是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为140 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，波长（光谱灵敏度）为450至1120 nm.有关SFH 3204的更多详细信息，请参阅下文。
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