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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP705D概述
来自TT Electronics的OP705D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至12 mA.有关OP705D的更多详情，
OP705D参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.5 to 12 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP705D规格书
OP705D厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP506C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP506C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP506C的更多详细信息，请参见下文。
- OP565B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情，请参见下文。
- BPW38光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的BPW38是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW38的更多详细信息，请参阅下文。
- PT204-6B光电晶体管Ever Light
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 940 nm
Ever Light的PT204-6B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6B的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 3204光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1120 nm
来自OSRAM的SFH 3204是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为140 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，波长（光谱灵敏度）为450至1120 nm.有关SFH 3204的更多详细信息，请参阅下文。
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