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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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概述
来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）25 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情，
参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1.7 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 25 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 7.5 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 nm
规格书
厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。
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材料: Metal波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
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- OP550B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP550B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情，请参见下文。
- OP798B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情，请参见下文。
- KP-3216P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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