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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP593C概述
来自TT Electronics的OP593C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1 mA.有关OP593C的更多详情，
OP593C参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1.7 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 nm
OP593C规格书
OP593C厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- PT010-33光电晶体管Ushio Inc.
材料: Clear Epoxy Resin波长（光谱灵敏度）: 900 nm
Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，请参阅下文。
- OP555D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息，请参见下文。
- L14C2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14C2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.08 mA，功耗300至600 MW.有关L14C2的更多详细信息，请参见下文。
- AA3528P3S光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 420 to 1120 nm
KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请参阅下文。
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