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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP555C概述
来自TT Electronics的OP555C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP555C的更多详情，
OP555C参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.25 to 2.4 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP555C规格书
OP555C厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP598B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP598B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为5 mA至10 mA.有关OP598B的更多详细信息，请参见下文。
- PTF080D3光电晶体管Optrans America
波长（光谱灵敏度）: 450 to 1050 nm
Optrans America的PTF080D3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗200 MW.有关PTF080D3的更多详细信息，请参阅下文。
- NTE3035A光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 800 nm
NTE Electronics，Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为60 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.75至1 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息，请参阅下文。
- WP3DP3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 670 to 1070 nm
KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA，功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息，请参阅下文。
- KPT801C2光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Kyoto Semiconductors的KPT801C2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为100至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为75 MW.有关KPT801C2的更多详细信息，请参阅下文。
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