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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP538FC概述
来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情，
OP538FC参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photodarlington
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 225 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.1 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 to 935 nm
OP538FC规格书
OP538FC厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP750B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP750B的更多详情，请参见下文。
- OP804SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为7 mA至22 mA，功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情，请参见下文。
- OED-STR851C100-TR光电晶体管Lumex
波长（光谱灵敏度）: 940 nm
Lumex的OED-STR851C100-TR是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关OED-STR851C100-TR的更多详细信息，请参阅下文。
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
欧司朗的LPT 80A是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW.下面可以看到LPT 80A的更多细节。
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来自KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.8至1.5 mA，功耗100 MW.有关AM2520P3C03的更多详细信息，请参阅下文。
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