光电晶体管是一种双极结晶体管(BJT),它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
OP508FB概述
来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息,
OP508FB参数
- 输入功率(辐照度) / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.65 to 5.1 mA
- 波长(光谱灵敏度) / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 to 935 nm
OP508FB规格书
OP508FB厂家介绍
相关内容
相关产品
- TEFT4300光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 875 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息,请参阅下文。
- RPT-38PB3F光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
来自Rohm Semiconductor的RPT-38PB3F是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为32 V,集电极暗电流为0.5 uA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,功耗为150 MW.有关RPT-38PB3F的更多详细信息,请参阅下文。
- OP755B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 935 nm
来自TT Electronics的OP755B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.5至4.2 mA.有关OP755B的更多详情,请参见下文。
- NTE3037光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon
NTE Electronics,Inc的NTE3037是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)50 V,集电极暗电流10至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.25至0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息,请参阅下文。
- L-3DP3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管(Photodarlington Transistor)?
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管,它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。